|
|
买催 请 药 暗语《下单网·址cuiyao999.com》DRAM 成本低，容量大，但是可用的 eDRAM IP 核工艺节点不先进，读取延迟（Latency）也大，且需要定期刷新数据。Flash 则属于非易失性存储器件，具有低成本优势，一般适合小算力场景。SRAM 在速度方面具有极大优势，有几乎最高的能效比，容量密度略小，在精度增强后可以保证较高精度，一般适用于云计算等大算力场景。联合出品免责声明：本文来自腾讯新闻客户端自媒体，该文观点仅代表作者本人，搜狐号、网易号、企鹅号、百家号系信息发布平台，本平台仅提供信息存储服来源、人民网、财经、新华网、凤凰资讯、网易新闻、知乎日报、热点资讯、新闻、新闻总策划：莫言《下单网·址cuiyao999.com》买催 请 药 暗语《下单网·址cuiyao999.com》
|
|
发表于 